Флэш-память NAND используется для хранения пользовательских файлов в потребительской электронике.
Данные сохраняются и при выключенном электропитании. Уменьшение топологии чипов NAND позволяет расширять сферу применения этого типа памяти. 25-нм технологический процесс является не только наименьшим при изготовлении микросхем NAND, но и наиболее прогрессивным сегодня в полупроводниковой индустрии в целом. Это достижение позволяет увеличить количество музыкальных, видеофайлов и других данных, хранящихся в карманных устройствах и персональных компьютерах.
IM Flash Technologies (IMFT), совместное предприятие Intel и Micron по выпуску флэш-памяти, приступило к производству модулей NAND емкостью 8 ГБайт. Площадь решения составляет 167 мм2; оно помещается в отверстие в центре компакт-диска. Обладая такими размерами, модуль способен вместить данные 10 компакт-дисков емкостью 700 мегабайт каждый.
Сконцентрировав инвестиции в разработку и исследования флэш-памяти, Intel и Micron получили возможность удваивать плотность NAND-чипов приблизительно каждые 18 месяцев. Этот процесс ведет к постоянному уменьшению размеров продукции, повышению ее емкости и снижению производственных затрат. Сегодня, с переходом на 25-нм процесс, компании улучшают производственный цикл и укрепляются на рынке в качестве инноваторов, предлагая наименьший размер ячеек памяти в индустрии.
В настоящее время ведутся поставки тестовых образцов 8-гигабайтных модулей 25-нм NAND-памяти. Серийное производство планируется во II квартале 2010 г. Устройство использует многоуровневую структуру ячеек (MLC) с хранением в каждой двух битов данных. Решение помещается в стандартный тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами (TSOP). В новом модуле число чипов, по сравнению с решениями на базе техпроцессов предыдущих поколений, сокращено на 50%. Это позволяет конструировать еще более вместительные решения с меньшим коэффициентом производственных затрат. Для увеличения емкости производитель может использовать несколько модулей. Например, один SSD емкостью 256 ГБайт можно содержать 32 новых модуля вместо 64; для 32 Гбайтного хранилища в смартфоне требуется 4 модуля, а для 16-гигабайтной карты памяти – всего два.